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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:MiniSKiiP?橋式整流器(SKiiP 39AHB16V1)模塊

  • 產(chǎn)品型號:SKiiP39AHB16V1
  • 產(chǎn)品廠商:SEMIKRON
  • 產(chǎn)品價格:0
  • 折扣價格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
現(xiàn)貨供貨德國賽米控丹佛斯/西門康semikron、MiniSKiiP?橋式整流器(SKiiP 39AHB16V1)模塊。我們的產(chǎn)品包括半導體器件、功率模塊、模組和系統(tǒng)。我們?yōu)榭蛻籼峁┊a(chǎn)品新技術、和服務,為客戶創(chuàng)造價值,提供的產(chǎn)品和服務,實現(xiàn)可持續(xù)的未來。
詳情介紹:

我們公司代理銷售德國賽米控丹佛斯/西門康semikronIGBT模塊下屬八大系列: Semix系列IGBT模塊、SEMITRANS系列IGBT模塊、SKiM系列 IGBT模塊、Mini skiip系列IGBT模塊、 SEMITOP系列模塊。為您提供不同封裝形式,SEMIPACK、SEMiSTART、SEMIPONTSEMITOP。采用不同的連接技術,有焊接、鍵合或壓接模塊可供選擇。



賽米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,支持不同的拓撲結(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A,電壓級別為600V至1800V。它們可用于各種應用,并采用多項關鍵技術,如燒結(jié)以及實現(xiàn)快捷裝配的彈簧或press-fit連接。提供不同的拓撲結(jié)構(gòu),提供不同的拓撲結(jié)構(gòu),如CIB(整流-逆變-制動)、半橋、H橋、三相全橋和三電平等,涵蓋幾乎所有應用領域。結(jié)合新的IGBT芯片和CAL二極管技術。新代IGBT7已正式應用于賽米控丹佛斯功率模塊,其帶來更高功率密度并確立了新的性能評價基準,特別是在電機驅(qū)動和太陽能應用中。


賽米控丹佛斯/MiniSKiiP®橋式整流器(SKiiP 39AHB16V1)模塊電機驅(qū)動解決方案
*新一代IGBTT7芯片:
正向電壓降(Vce,sat)較IGBT 4減小20%
芯片尺寸較IGBT 4縮小25%
例如: 50A CIB模塊的外殼尺寸縮小了35%

電機驅(qū)動器應用:
相同輸出功率下,損耗降低達20%,輸出功率提高達20%
功率密度增加,系統(tǒng)成本更低


(SKiiP 39AHB16V1)模塊MiniSKiiP®的優(yōu)勢:

MiniSKiiP模塊獨特的機械特點是簡易的裝配和服務友好型彈簧接觸技術。與傳統(tǒng)的焊接或壓裝模塊相比,MiniSKiiP模塊的裝配不需要專用的設備(自動壓力機、波峰焊機)。相反,只需使用一個或兩個螺絲連接即可。

印制電路板(PCB)、功率模塊和散熱器在一個安裝步驟中完成組裝。印刷電路板上不需要焊接引腳或壓接孔,因此PCB設計更具靈活性。彈簧在PCB和電源電路之間提供了一種靈活的連接方式,這一點遠優(yōu)于焊接連接,特別是在熱應力或機械應力條件下,會影響其使用壽命。得益于彈簧提供的高機械壓力,可以實現(xiàn)氣密、可靠的電氣連接。




MiniSKiiP®產(chǎn)品特點:


MiniSKiiP有6種不同的外殼尺寸

低成本組裝,高生產(chǎn)率和產(chǎn)量
小型、緊湊的系統(tǒng)設計
可靠性和使用壽命長
中低功率范圍從400W到110kW。



(SKiiP 39AHB16V1)模塊MiniSKiiP®的關鍵特性:

免焊接的SPRiNG技術,可實現(xiàn)快速、簡便的裝配。
無銅底板,實現(xiàn)高性價比的設計和高熱性能
簡便靈活的PCB布線,無需引腳孔
拓撲結(jié)構(gòu)配置:CIB、三相全橋、雙三相全橋、H橋、半橋、三電平NPC/TNPC/ANPC、升壓拓撲結(jié)構(gòu)(升壓斬波器、飛跨電容升壓、對稱升壓)



MiniSKiiP®的應用:


憑借20多年的應用經(jīng)驗和多達5000萬件的現(xiàn)場應用量,MiniSKiiP平臺 已在各類標準應用中獲得成功,主要應用包括各種類型的逆變器,如電機和伺服驅(qū)動器、1000VDC和1500VDC的太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)和焊接機等。得益于彈簧觸點的可靠性,MiniSKiiP技術也可以在農(nóng)用車或風力渦輪機的偏航和變槳驅(qū)動中應用。



MiniSKiiP®的產(chǎn)品范圍:

MiniSKiiP模塊產(chǎn)品組合覆蓋600V-1700V電壓,4A - 600A電流。除了IGBT3和IGBT4的芯片之外,新的第7代IGBT芯片和碳化硅器件均可適配其中。

標準的電機驅(qū)動拓撲包括CIB, 三相全橋, 雙三相全橋,半橋和相應的不控/半控和全控制整流拓撲和斬波拓撲。用于UPS應用的NPC和對稱升壓拓撲結(jié)構(gòu),基于快速開關650V IGBT和二極管可實現(xiàn)*高功率密度達100kVA的UPS系統(tǒng)。

更重要的是,新的芯片技術,如全碳化硅和混合碳化硅功率模塊,將效率和功率密度提升到更高的水平。為了快速評估,可以為大多數(shù)功率模塊訂購測試PCB板。

在此基礎上,所有功率模塊還可提供預涂高性能導熱硅脂,這是一種標桿性的熱界面材料。




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